半导体中的隧道效应

　　隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区，是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体（或绝缘体）中的电子迁移现象理解为在外电场下，束缚在一个原子中的电子，通过隧道穿透势垒，到另一个原子中。不过，通常说的半导体中的隧道效应指的不是这种对原子势场的量子隧道效应。而是指电子对半导体中宏观势垒的穿透，这个宏观势垒是半导体的禁带造成的。

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　　快恢复 二极管注意事项

　　编辑

　　1）有些单管，共三个引脚，中间的为空脚，一般在出厂时剪掉，但也有不剪的。

　　2）若对管中有一只管子损坏，mos，则可作为单管使用。

　　3）测正向导通压降时，大功率mos管，必须使用R×1档。若用R×1k档，因测试电流太小，远低于管子的正常工作电流，故测出的VF值将明显偏低。在上面例子中，如果选择R×1k档测量，正向电阻就等于2.2kΩ，此时n′=9格。由此计算出的VF值仅0.27V，整流mos，远低于正常值(0.6V)。

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　　1N4007 是封装形式为 DO-15 的塑料封装型通用硅材料整流二极管。广泛应用于各种交流变直流的整流电路中。

　　IN4007的作用利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。

　　IN4007的主要参数二极管类型:Standard

　　Recovery

　　整流二极管IN4007

　　电压，

　　Vrrm:1000V

　　电流， If平均:1A

　　正向电压Vf:1.1V

　　电流， Ifs:30A

　　封装形式:DO-41

　　针脚数:2

　　器件标记:1N4007

　　封装类型:DO-41

　　总功率，大功率mos管p沟道，

　　Ptot:2.5W

　　正向电压，于If:1.1V

　　电流，

　　Ifsm:30A

　　结温，

　　Tj:175°C

　　表面安装器件:轴向引线

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